科學園夥麻省光子技術 設港首個氮化鎵外延工藝研發中心

科技創新是推動新質生產力發展的關鍵之一。香港科技園與麻省光子技術公司昨日舉行香港首條超高真空「第三代半導體氮化鎵外延片中試線」啟動禮，旨在推動香港微電子產業發展，進一步完善本港創科生態圈。創新科技及工業局局長孫東表示，第三代半導體將是香港近年來重點發展的科技領域，香港要因地制宜發展新質生產力，必須發揮好國際化優勢和雄厚科研實力。專門研發氮化鎵外延技術的麻省光子技術行政總裁廖翊韜宣布，將在港投資至少2億元及設立研發團隊，並開設首條超高真空量產型氮化鎵外延片中試線。
廣泛應用醫療電動車

半導體產業競爭激烈，氮化鎵相較於傳統半導體材料矽，能承受更高電壓，擁有更好的導電能力，氮化鎵外延工藝因此成為發展第三代半導體的關鍵技術。廖翊韜指，公司致力在港研發高階第三代半導體晶圓技術，製作的晶圓片能廣泛應用於醫療、電動汽車及人工智能等領域，從而節約電力成本，提升能量轉換效率。他期望通過新產品的中試研發和孵化，建立前沿、完整的超高真空氮化鎵外延技術和產品專利包，3年內完成中試並啟動在香港的氮化鎵外延量產的產線建設，實現年產1萬片8吋氮化鎵晶圓產能，將香港製造的外延片產品推向全球市場。

廖翊韜解釋，選擇落戶香港，是希望公司在一個具技術、人才、資本密集的國際化環境中發展，未來將在港招聘博士畢業生以及從事半導體開發的專業人員。他亦認為香港在中西文化交流方面有不可替代的優勢，有助將香港製造的外延片產品推向全球市場。

孫東指，非常高興迎來全球氮化鎵外延工藝先驅企業、麻省光子技術公司落戶香港。他稱，氮化鎵外延工藝是發展第三代半導體的關鍵技術，麻省光子技術在港投資設立全港首個第三代半導體氮化鎵外延工藝全球研發中心，以及依託即將成立的微電子中心，準備投資超過2億港元建立首條高階量產型8寸車規級氮化鎵外延片中試線，將加速推動香港新型工業化，以及微電子生態圈的發展，同時亦助力壯大香港創科人才庫。
協助初創促進產學研

孫東又提到，特區政府正以產業導向為原則，積極推進微電子產業發展，香港微電子研發院將於今年內成立，並將設立碳化硅和氮化鎵兩條中試線，協助初創、中小企業進行試產、測試和認證，促進產、學、研在第三代半導體核心技術上的合作。

科技園公司行政總裁黃克強指，麻省光子技術決定落戶科學園及創新園，把其前沿技術及經驗帶來香港，將成為本港微電子產業及新型工業化發展歷程中的重要里程碑。他又稱，科技園會配合政府全力發展微電子產業，旗下有超過200間園區公司從事微電子行業，希望提升香港微電子的研發實力及產業化，助力香港成為國際創新科技中心。