三星年內將量產236層NAND快閃記憶體芯片

據韓媒報道，芯片業界透露，三星電子已經完成了第8代V NAND產品的開發，該款3D NAND芯片由236層存儲單元組成，三星預計年內將實現批量生產，在可量產的NAND快閃記憶體芯片中，該產品層數最多。