三星领先台积电 量产3纳米晶片

（星岛日报报道）南韩三星电子昨日正式宣布开始量产三纳米晶片，领先台积电及英特尔等国际竞争对手，三星将可因而提高晶片性能百分之二十三，缩小晶片面积百分之十六。

韩联社报道，三星电子昨日正式宣布量产环绕闸极（GAA）架构的三纳米晶片制程，于设有极紫外光（EUV）设备的华城园区投入生产。
面积缩小16% 可节约用电45%

据悉，投入生产的三纳米制程与三星既有的五纳米制程相比，晶片面积缩小百分之十六，用电可节约百分之四十五，性能提高百分之二十三。明年预定引入的第二代GAA技术的三纳米制程，将可进一步节约电力达百分之五十，提高性能百分之三十，缩小晶片面积百分之三十五。

三星电子称，三星这次应用三纳米制程领先全球，今后还将积极开发足以领先同业的技术，构建快速提高制程成熟度的系统。 

根据市场调查机构统计，今年第一季全球晶圆代工市占率由台积电以百分之五十三点六高踞第一，三星电子以百分之十六点三位居第二。三星料会寄望藉着这次率先推出三纳米制程，追上最大劲敌台积电。
 

在此之前，三星与台积电的最尖端制程皆为四纳米。台积电先前表示，将在今年下半年开始量产三纳米制程晶片。据报三星继这次三纳米制程投入量产后，规划在二○二五年投入二纳米制程。