三星电子领先台积电发表全球首款3纳米芯片

韩国《中央日报》报道，7月25日，三星电子在京畿道华城的极紫外线光刻(EUV)专用代工(半导体委托生产)设施V1生产线举行了全球首次应用全环绕栅极(GAA)技术的3纳米晶圆代工制程芯片的出厂仪式。

三星的3纳米芯片使用GAA(Gate All Around)技术，与现有的FinFET技术相比，具有更高的功率效率和更快的性能。该技术将用于为服务器和数据中心制造高性能计算芯片，还将用于制造智慧手机、平板电脑、可穿戴设备、个人电脑等的高阶芯片。

三星电子从2000年代初开始研究GAA晶体管结构，并于2017年成功将其应用于3纳米芯片。据报道，三星电子的3纳米芯片批量生产比台积电领先一步。