三星年内将量产236层NAND快闪记忆体芯片
2022-08-17 16:00
据韩媒报道,芯片业界透露,三星电子已经完成了第8代V NAND产品的开发,该款3D NAND芯片由236层存储单元组成,三星预计年内将实现批量生产,在可量产的NAND快闪记忆体芯片中,该产品层数最多。
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据韩媒报道,芯片业界透露,三星电子已经完成了第8代V NAND产品的开发,该款3D NAND芯片由236层存储单元组成,三星预计年内将实现批量生产,在可量产的NAND快闪记忆体芯片中,该产品层数最多。
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