继南韩晶片大厂豁免一年 英特尔和台积电获美批准续购晶片制造设备

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美国对中国晶片出口管制力度日趋严厉，继南韩晶片大厂SK海力士及三星电子已取得暂时豁免期一年之后，英特尔和台积电也可豁免一年。

美国晶片巨头英特尔今日表示，10月11日，公司从美国商务部获得为期一年的授权，继续运营其位于中国大连的NAND闪存芯片业务。

《日本经济新闻》引述匿名消息报道，台积电取得为期一年的许可，可继续订购美国晶片制造设备以用于其在中国的扩张，从而使该公司免受美国上周实施的出口限制。

商务部上周五对中国晶片厂颁布新的管制措施，美国供应商若要出售设备予中国，用于制造128层或以上NAND晶片、18纳米或以下的DRAM晶片，以及14纳米或以下的逻辑晶片，需要申请出口许可。

SK海力士昨表示，美国商务部允许半导体设备厂可供应该公司中国厂开发和生产DRAM所需的设备和服务，为期一年，无须再向美国商务部申请许可证，该调整将有助公司避免供应链中断。

美国商务部预计于周四（13日）举行公开简报会，进一步厘清出口管制新措施。