華為等申專利 圖突破限制產5納米晶片

外電報道，華為與內地國資晶片製造設備開發商新凱來正就一晶片製造方法申請專利，此方法雖然技術含量低，但能有效製造先進半導體，有望提高華為突破美國限制中國高端製造創新的可能性。

報道指，根據兩企向中國知識產權當局提交的文件，有關專利涉及「自對準四重成像技術（SAQP）」，或有助減少採用高階光刻技術以生產先進製程晶片，推使華為能夠在沒有荷蘭晶片設備製造巨頭ASML最先進的極紫外線（EUV）光刻機下，仍能生產高端晶片。

文件顯示，新凱來具有採用深紫外線（DUV）光刻技術、晶片製造機器和SAQP技術的專利，以達到生產5納米晶片的某些技術門檻。不過，有研究機構指，SAQP能夠讓華為製造5納米晶片，但不能完全克服沒有EUV的技術問題。